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SD11906/SD11907/SD11956和SD11957 1200V碳化硅SiC半桥功率�？�

发布时间：2024-02-20 11:46:51 浏览：2295

　　Solitron Devices 推出的 SD11906、SD11907、SD11956 和 SD11957 1200V 碳化硅 (SiC) 半桥功率�？椋宰畲笙薅鹊胤⒒� SiC 的优势，具有独特的稳健、简单且具有成本效益的�？楦袷�。37mm x 25mm x 9mm 的外形只是竞争�？槌叽绾椭亓康囊恍〔糠帧Ｕ庵旨筛袷娇勺畲笙薅鹊靥岣吖β拭芏龋蓖ü排渲媒仿返绺薪抵磷畹停佣迪旨虻サ牡缭醋芟摺�

SD11906/SD11907/SD11956和SD11957 1200V 碳化硅SiC半桥功率�？�

　　SD11906/07/56/57 是半桥配置，具有两个 1200V、低电阻DS(开)13mΩ SiC MOSFET。SD11906和SD11956具有续流 1200V SiC 肖特基二极管，与模块内部的 MOSFET 并联。引脚配置将电源总线与栅极和源控制分开，以简化电路板布局。

　　该系列专为要求苛刻的应用而设计，例如基于航空电子设备的机电执行器和功率转换器。工作温度为 -55°C 至 175°C，结构包括铜基板和氮化铝绝缘体，确保 TCE 匹配和高热传递。隔离式集成温度传感可在SD11906和SD11907上提供高水平的温度保护。

　　与同类最佳的硅MOSFET和IGBT相比，碳化硅具有出色的开关性能，且随温度的变化最小。由于能量损失和反向充电显著降低，效率水平比硅更高，因此在打开和关闭阶段需要的开关功率更高，所需的能量更少。结合高开关频率，这意味着磁性元件更�。蟠蠹跚崃讼低持亓亢统叽�。

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