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F3L150R07W2E3_B11三级相位支路IGBT模块Infineon英飞凌

发布时间：2024-04-26 09:15:51 浏览：1878

F3L150R07W2E3_B11三级相位支路IGBT模块Infineon英飞凌

　　F3L150R07W2E3_B11是一款由Infineon英飞凌公司推出的三级相位支路IGBT�？椋哂幸韵绿氐愫陀攀�：

　　特征描述:

　　1. 采用第三代 TRENCHSTOP? IGBT技术，提高了阻断电压能力，达到650V;

　　2. 低电感设计，有助于减少系统中的电磁干扰;

　　3. 低开关损耗，有助于提高效率和节能;

　　4. 低 VCEsat，减少了功率损耗;

　　5. 采用低热阻Al2O3基板，有助于散热，提高性能稳定性;

　　6. 紧凑型设计，占用空间�。屎闲枰呒啥鹊挠τ�;

　　7. PressFIT 压接技术，方便安装维护;

　　8. 集成的安装夹使安装更坚固，提高了系统的可靠性。

　　优势:

　　1. 紧凑�？榈母拍睿屎峡占溆邢薜挠τ贸『�;

　　2. 优化客户的开发周期，降低成本，有助于客户节约时间和成本;

　　3. 灵活的配置，可以满足不同客户的需求，提供个性化的选择。

onfiguration	3-level
Dimensions (width)	48 mm
Dimensions (length)	56.7 mm
Features	PressFIT ; Phase leg
Housing	EasyPACK? 2B
IC(nom) / IF(nom)	150 A
IC max	150 A
Qualification	Industrial
Technology	IGBT3 - E3
VCE(sat) (Tvj=25°C typ)	1.45 V
VCES / VRRM	650 V
VF (Tvj=25°C typ)	1.55 V
Voltage Class max	650 V

深圳市新葡萄AMG创展科技有限公司，优势分销Infineon英飞凌部分产品线，快速交付，欢迎联系。

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