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    • SD11915 1200V SiC全桥功率�？镾olitron

    发布时间：2025-09-04 08:51:09     浏览：5106

    　　Solitron Devices, Inc.生产的SD11915是一款SiC(碳化硅)全桥功率�？椋弑�1200V/50A的强劲性能，导通电阻低至32mΩ，大幅提升系统效率并降低损耗。其高速开关特性和优化的低寄生参数支持高频应用，同时集成NTC温度监控和创新的铜钼底板散热设计，确保高温环境下的可靠运行。紧凑型封装集成了全桥电路，节省空间且抗震性强，是新能源、电动汽车和工业电源等高效能应用的理想选择。

    SD11915 1200V SiC全桥功率�？镾olitron

    　　电气特性

    　　最大漏源电压(VDS)：1200V

    　　最大连续漏极电流(ID)：50A(25°C时)

    　　最大脉冲漏极电流(ID, pulse)：160A(脉冲宽度受限于最大结温Tjmax)

    　　最大功率损耗(PD)：176W

    　　最大工作和存储结温(TJ, TSTG)：-55°C至+175°C

    　　漏源导通电阻(RDS(on))：

    　　25°C时为33mΩ(VGS = 15V, ID = 40A)

    　　175°C时为46mΩ(VGS = 15V, ID = 40A)

    　　温度传感器特性

    　　电阻(R25)：25°C时为4.7kΩ

    　　电阻公差(?R25/R25)：±5%

    　　贝塔常数(B25/100)：4110K

    　　贝塔公差(?B/B)：±3%

    　　封装尺寸

    　　尺寸：1.457英寸(37.00mm)× 1.023英寸(26.00mm)× 0.910英寸(23.11mm)

    　　安装孔：提供多种安装孔图案，便于PCB安装。

    　　应用领域

    　　电动汽车(EV)：用于牵引逆变器、车载充电器等。

    　　可再生能源：太阳能逆变器、风力发电系统。

    　　工业电源：高频开关电源、电机驱动。

    　　数据中心：高效电源�？�。

    更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询新葡萄AMG创展。

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