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1200 V, 40 A IGBT，采用反并联二极管，TO-247 封装
1200 V、40 A 硬开关TRENCHSTOP? IGBT4，采用续流二极管在 TO247 中封装，由于结合了沟槽单元和场终止概念，显著提高了静态和动态性能。IGBT 和软恢复发射极控制二极管的结合进一步降低了开通损耗。由于开关和传导损耗间可实现折衷，因此可实现高效率。
特征描述
更低的传导损耗实现较低的 VCEsat 压降
低开关损耗
由于 VCEsat 中的正温度系数，因此易于进行平行开关
非常软且快速恢复的反平行发射极控制二极管
具有高鲁棒性、温度稳定的行为
低电磁干扰辐射
低栅极电荷
非常严格的参数分配
优势
高效率 - 得益于低导通和低开关损耗
600 V 和 1200 V 的全面产品组合可实现设计的高灵活性
器件可靠性高
参数：
| Parametrics | IKW40N120T2 |
|---|---|
| Eoff (Hard Switching) | 3.8 mJ |
| Eon | 4.5 mJ |
| IC (@ 25°) max | 75 A |
| IC (@ 100°) max | 40 A |
| ICpuls max | 160 A |
| IF max | 75 A |
| IFpuls max | 160 A |
| Irrm | 31 A |
| Ptot max | 480 W |
| Package | TO-247-3 |
| QGate | 192 nC |
| Qrr | 3300 nC |
| RG | 12 ? |
| RGint | - |
| Switching Frequency | TRENCHSTOP?2 2-20 kHz |
| Switching Frequency min max | 2 kHz 20 kHz |
| Technology | IGBT TRENCHSTOP? 2 |
| VCE(sat) | 2.3 V |
| VCE max | 1200 V |
| VF | 1.75 V |
| td(off) | 405 ns |
| td(on) | 32 ns |
| tf | 195 ns |
| tr | 28 ns |
