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Onsemi安森美EliteSiC系列二极管、MOSFET及�？榈墓ひ涤τ�

发布时间：2025-10-29 14:02:49     浏览：501

　　安森美(onsemi)的EliteSiC系列是专为工业和能源应用设计的碳化硅(SiC)功率半导体产品组合，涵盖二极管、MOSFET、混合�？楹腿玈iC�？椤８孟盗衅窘韪咝�、高功率密度、低损耗及高温稳定性，广泛应用于光伏逆变器、电动汽车充电、工业电机驱动、储能系统等领域，助力客户优化系统性能并降低总体成本。

　　1、 EliteSiC Diodes(碳化硅二极管)

EliteSiC Diodes(碳化硅二极管)

　　关键参数

　　电压等级：650V / 1200V / 1700V

　　封装类型：DPAK-3 / TO-252-LD / TO-247-3L等

　　工作温度：最高175°C(TJMAX)

　　主要特点

　　 无反向恢复(QRR)——降低开关损耗，提高效率

　　 低正向压降(VF)——减少传导损耗

　　温度无关的开关特性——确保高温下稳定运行

　　 高浪涌和雪崩能力——增强系统可靠性

　　典型应用

　　太阳能逆变器(PV)

　　不间断电源(UPS)

　　工业电源

　　2、 EliteSiC MOSFETs(碳化硅场效应晶体管)

EliteSiC MOSFETs(碳化硅场效应晶体管)

　　关键参数

　　电压等级：650V / 900V / 1200V / 1700V

　　封装类型：D2PAK-7(TO-263-7L HV)等

　　主要特点

　　 超低栅极电荷(Qg)——减少驱动损耗

　　 低有效输出电容(Coss)——提升开关速度

　　 100% UIL测试——确保器件一致性

　　175°C高温运行能力——适应严苛环境

　　典型应用

　　电动汽车(EV)充电桩

　　服务器电源(PSU)

　　电机驱动

　　3、 EliteSiC Hybrid Modules(混合�？�)

EliteSiC Hybrid Modules(混合�？�)

　　关键参数

　　电压等级：650V / 1000V / 1200V / 1700V

　　�？槔嘈停�

　　T型NPC逆变器(Split NPC)

　　I型NPC(1000V, 350A/450A IGBT + 1200V, 100A SiC Diode)

　　3通道Boost(1000V, 150A IGBT)

　　主要特点

　   SiC二极管 + 快速开关IGBT——优化系统效率

　　 低热阻基板——增强散热能力

　　 引脚兼容设计——便于升级替换

　　典型应用

　　工业变频器

　　风电变流器

　　4、EliteSiC Full Modules(全SiC�？�)

EliteSiC Full Modules(全SiC�？�)

　　关键参数

　　电压等级：900V / 1200V

　　�？槔嘈�：

　　Q0 / Q1 Boost�？�

　　F1 / F2�？�(集成电容，降低电压震荡)

　　主要特点

　　 比沟槽MOSFET更低热阻——提高散热效率

　　 负栅极电压驱动——简化控制设计

　　 标准化引脚布局——兼容不同RDS(on)需求

　　典型应用

　　储能系统(ESS)

　　轨道交通牵引系统

深圳市新葡萄AMG创展科技有限公司优势提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC电源转换器�？榧疤蓟�(SiC)产品，欢迎咨询了解。

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